ماتریس کنترل پی- کیو مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان

چکیده

در سال های اخیر، با توجه به مشکلات محیطی و اقتصادی، ساخت ماشین جدید قدرت و خط انتقال مشکل شده است. از این رو بهتر است به منظور افزایش قابلیت انتقال قدرت از خطوط انتقال موجود را تا محدوده حرارتی به جای ساخت خطوط انتقال جدید استفاده کرد. برای بالا بردن توانایی قدرت، کنترل کننده FACTS مانند SSC، TCSC، SVC توسعه یافته است. اما این کنترل کننده ها به طور جداگانه نمی توانند توان واقعی و راکتیو را جبران کنند. از این رو کنترل کننده به نام، کنترل جریان توان یکپارچه (UPFC) با استفاده از دو کنترل کننده سری و شنت با یک لینک خازن DC مشترک توسعه داده شده است. این خازن معایبی مانند قابلیت اطمینان مؤثر، هزینه بالا و غیره را دارد. این مقاله یک توپولوژی جدید برای UPFC بر اساس طرحی ماتریس مبدل پیشنهاد می کند. مبدل های ماتریس (MCS) اجازه می دهد که مبدل توان ac/ac مستقیم بدون لینک های ذخیره انرژی dc بنابراین MC مبتنی برUPFC (MC-UPFC) حجم و هزینه را کاهش می دهد، کاهش تلفات توان خازن، همراه با قابلیت اطمینان بالاتر است. مبانی نظری کنترل توان مستقیم (DPC) بر اساس روش های کنترل مدل لغزشی برای مدل دینامیکیMC-UPFC از جمله فیلتر ورودی تاسیس شده اند. در نتیجه، توان اکتیو و راکتیو خط، همراه با تغذیه AC توان راکتیو، می تواند به طور مستقیم با انتخاب مبدل ماتریس مناسب کنترل شده و حالت سوئیچینگ پاسخ دینامیکی و حالت پایدار را تضمین می کند.

مقدمه

مفهوم UPFC اصلی، در دهه نود توسط L. Gyugyi، معرفی شد. [1] شامل دو مبدل AC-DC با استفاده از گیت خاموش کردن تریستوری (GTO) است، پشت سرهم از طریق لینک DC مشترکشان با استفاده از ولتاژ بالا ذخیره سازی DC خازن ها متصل شده اند. این ترتیبات می تواند به عنوان مبدل قدرت سوئیچینگ AC-AC برگشت پذیر ایده آل عمل کند، که در آن توان می تواند در هر دو جهت بین ترمینال های AC دو مبدل جریان داشته باشد خازن های لینک DC برخی از قابلیت ذخیره انرژی برای مبدل های پشت سر هم که به کنترل جریان توان کمک می کند را فراهم می کنند.

خرید

مطالب مرتبط


تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

دسته: برق

حجم فایل: 28 کیلوبایت

تعداد صفحه: 34

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور، آی سی (IC) و… مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد.

این نیمه هادی، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید.

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید. جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

1. نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

خرید

مطالب مرتبط


ماتریس کنترل P-Q مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان

  • عنوان لاتین مقاله: P-Q Control Matrix Converter Based UPFC By Direct Power Control Method
  • عنوان فارسی مقاله: ماتریس کنترل پی- کیو مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان با استفاده از روش کنترل توان مستقیم.
  • دسته: برق
  • فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
  • تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 17
  • ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید است.

خلاصه

در سال های اخیر، با توجه به مشکلات محیطی و اقتصادی، ساخت ماشین جدید قدرت و خط انتقال مشکل شده است. از این رو بهتر است به منظور افزایش قابلیت انتقال قدرت از خطوط انتقال موجود را تا محدوده حرارتی به جای ساخت خطوط انتقال جدید استفاده کرد. برای بالا بردن توانایی قدرت، کنترل کننده FACTS مانند SSC، TCSC، SVC توسعه یافته است. اما این کنترل کننده ها به طور جداگانه نمی توانند توان واقعی و راکتیو را جبران کنند. از این رو کنترل کننده به نام، کنترل جریان توان یکپارچه (UPFC) با استفاده از دو کنترل کننده سری و شنت با یک لینک خازن DC مشترک توسعه داده شده است. این خازن معایبی مانند قابلیت اطمینان مؤثر، هزینه بالا و غیره را دارد. این مقاله یک توپولوژی جدید برای UPFC بر اساس طرحی ماتریس مبدل پیشنهاد می کند. مبدل های ماتریس (MCS) اجازه می دهد که مبدل توان ac/ac مستقیم بدون لینک های ذخیره انرژی dc بنابراین MC مبتنی برUPFC (MC-UPFC) حجم و هزینه را کاهش می دهد، کاهش تلفات توان خازن، همراه با قابلیت اطمینان بالاتر است. مبانی نظری کنترل توان مستقیم (DPC) بر اساس روش های کنترل مدل لغزشی برای مدل دینامیکیMC-UPFC از جمله فیلتر ورودی تاسیس شده اند. در نتیجه، توان اکتیو و راکتیو خط، همراه با تغذیه AC توان راکتیو، می تواند به طور مستقیم با انتخاب مبدل ماتریس مناسب کنترل شده و حالت سوئیچینگ پاسخ دینامیکی و حالت پایدار را تضمین می کند.

I. مقدمه

مفهوم UPFC اصلی، در دهه نود توسط L. Gyugyi، معرفی شد. [1] شامل دو مبدل AC-DC با استفاده از گیت خاموش کردن تریستوری (GTO) است، پشت سرهم از طریق لینک DC مشترکشان با استفاده از ولتاژ بالا ذخیره سازی DC خازن ها متصل شده اند. این ترتیبات می تواند به عنوان مبدل قدرت سوئیچینگ AC-AC برگشت پذیر ایده آل عمل کند، که در آن توان می تواند در هر دو جهت بین ترمینال های AC دو مبدل جریان داشته باشد خازن های لینک DC برخی از قابلیت ذخیره انرژی برای مبدل های پشت سر هم که به کنترل جریان توان کمک می کندرا فراهم می کنند.

  • فرمت: zip
  • حجم: 2.70 مگابایت
  • شماره ثبت: 411

خرید

مطالب مرتبط


نقش عدم پیش بینی کلاهک در سنجش لیزرهای صفحه نازک

دسته: فنی و مهندسی

حجم فایل: 802 کیلوبایت

تعداد صفحه: 18

نقش عدم پیش بینی کلاهک در سنجش لیزرهای صفحه نازک

طراحی بهینه از یک لیزر صفحه نازک قدرتمند نشان دهنده یک توافق و سازش بین افزایش خود به خودی تابش (ASE) ، بیش از حد گرم شدن و از دست رفتن رفت و برگشتی می باشد. افزایش قدرت یک ترکیب از لیزر با صفحه نازک از یک لایه غیر پیش بینی شده مرز داده شده در سراسر لایه فعال برای کاهش دادن از دست رفتن ASE که به صورت آنالیزی تخمین زده شده است، ساخته شده است. قوانین سنجش برای پارامترهای یک لیزر صفحه ای برای هر دو مورد با و بدون کلاهک ضد ASE پیشنهاد شده است. پیش بینی های مربوط به حداکثر قدرت قابل دسترس برای یک ماده لیزری مشخص با داده های آزمایشگاهی منتشر شده مقایسه شده است. کلاهک ضد ASE اجازه افزایش حداکثر قدرت خروجی نسبی برای مربع لگاریتم از دست رفتن رفت و برگشتی را می دهد.

خرید

مطالب مرتبط


ترجمه مقاله مشخصه های کلیدزنی و پایداری دوسویه لیزرهای حلقه ای ن

دسته: برق

حجم فایل: 1457 کیلوبایت

تعداد صفحه: 25

مشخصه های کلیدزنی و پایداری دوسویه لیزرهای حلقه ای نیمه هادی با تزریق نوری بیرونی

چکیده___ ما هم بصورت آنالیزی و هم بصورت محاسباتی مشخصه های کلیدزنی، قفل شدگی، و پایداری دوسویه یک لیزر حلقه ای نیمه هادی در معرض یک تزریق نوری بیرونی را بررسی می کنیم. کمینه توان نوری مورد نیاز سیگنال تزریق در فرکانسی مشخص برای سوییچ کردن مسیر لیزر کردن یک لیزر حلقه ای نیمه هادی از مسیر لیزری اولیه خود به مسیر غیرلیزری اولیه آن، تعیین شده است. به منظور یافتن ناحیه ی عملیات سوییچینگ قابل اطمینان، قفل شدگی سیگنال تزریقی و پایداری لیزر سوییچ شده مورد بررسی قرار گرفته اند. به همین سان، به منظور یافتن سوییچینگ (کلیدزنی) موفق و ناحیه ی قفل شدگی پایدار با توان و فرکانس تزریق متغیر، شبیه سازی های عددی انجام گرفته اند و با نتایج آنالیزی مورد مقایسه قرار گرفته اند. ناحیه ای که با استفاده از شبیه سازی بدست امد، تطابق خوبی با محل تقاطع ناحیه های سوییچینگ، قفل شدگی و قفل شدگی پایدار دارد. روابط میان پارامترها و سرعت سوییچینگ منبع تزریق شده نیز بصورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است.

***پایداری دوسویه (bistability) : حالتی که چیزی که دارای پایداری دوسویه است بتواند در دو حالت استراحت کند. یعنی تعادل در دو حالت آن وجد داشته باشد. ***

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

1) اصل مقاله لاتین 8 صفحه IEEE

2) متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی 25 صفحه

خرید

مطالب مرتبط